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CDE ResMap 四點(diǎn)探針 ResMap 273

CDE　ResMap–CDE　公司生產(chǎn)之電阻值測試系統(tǒng)是以四探針的工藝，以配合各半導(dǎo)體成光伏生產(chǎn)廠家進(jìn)出之生產(chǎn)品質(zhì)監(jiān)控，既超卓可靠又簡易操作的設(shè)備是半導(dǎo)體及光伏生產(chǎn)廠家的

CDE ResMap Model 273

Resmap 273

在178型的技術(shù)基礎(chǔ)上，ResMap273是半導(dǎo)體行業(yè)30毫米桌面四點(diǎn)探針儀。273型擴(kuò)展了ResMap原來一些產(chǎn)品的性能，實(shí)現(xiàn)了300毫米的技術(shù)進(jìn)步和大型襯底膜特征。外形小巧，堅(jiān)固耐用，ResMap創(chuàng)造了同等的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

晶片傳送	手動(dòng)加載	電腦系統(tǒng)	奔騰系列；windows XP家用（不帶顯示）
晶片尺寸	2" - 12"
		SECS-II 選項(xiàng)	有
直徑	12.2"
		映照模式	極投影地圖（對準(zhǔn)缺口/平形，跨越，或者持平）;矩形圖（選擇內(nèi)側(cè)邊緣排除）;線掃描（直徑，半徑或沿直徑任意點(diǎn)，最小步進(jìn)0.1毫米點(diǎn)），用戶自定義（模板）
面積	8.6" x 8.6"
典型測量時(shí)間	每site1秒
		平面圖	等高線（間距選擇，1/3σ，固定和自動(dòng)％），3D，線，數(shù)據(jù)圖，直方圖，數(shù)據(jù)序列，徑向和角分布，趨勢圖的不同模式可供選擇
輸出	每個(gè)晶片1分（29sites）
測量范圍	2 mΩ/? - 5 MΩ/? （可以優(yōu)化為1 mΩ/?）
重復(fù)率 (1σ, 典型):	≤ ±0.02% （靜態(tài)或Rs） ≤ ±0.02%（動(dòng)態(tài)附近點(diǎn)）
		數(shù)據(jù)	所有ResMap數(shù)據(jù)文件可以復(fù)制到如Excel®進(jìn)行進(jìn)一步的分析。
準(zhǔn)確度	≤ ±0.5%采用NIST可追溯性ResCal標(biāo)準(zhǔn)
周邊除外范圍	1.5毫米（探針中心到膜邊緣距離）

設(shè)備
吸塵系統(tǒng)：	不要求真空
交流功率：	100V to 240V < 10 KVA
尺寸（英尺）：寬深高	15" w x 18"d x 10"h; 桌面（不包括桌面）

2. 驗(yàn)收測試方法

· 精確度：

精確度測量方法：用標(biāo)準(zhǔn)片標(biāo)定后，連續(xù)測試標(biāo)準(zhǔn)片5次，取平均值與標(biāo)準(zhǔn)值對比。

· 重復(fù)精度：

用標(biāo)準(zhǔn)片標(biāo)定后，連續(xù)測試樣品同一點(diǎn)5次，按如下公式計(jì)算：(Max-Min) /（Max+Min）（%）。

· 穩(wěn)定度：

用標(biāo)準(zhǔn)片標(biāo)定后，對同一樣品的同一個(gè)點(diǎn)，依次在 1秒，30秒，1分鐘，5分鐘，15分鐘，30分鐘，45分鐘，1小時(shí)測量，按如下公式計(jì)算：(Max-Min) /（Max+Min）（%）。

光伏測試專用美國ResMap四點(diǎn)探針

CDE ResMap的特點(diǎn)如簡述如下: * 高速穩(wěn)定及自動(dòng)決定范圍量測與傳送,THROUGHPUT高 * 數(shù)字方式及每點(diǎn)高達(dá)4000筆數(shù)據(jù)搜集,表現(xiàn)良好重復(fù)性及再現(xiàn)性 * Windows 操作接口及軟件操作簡單 * 新制程表現(xiàn)佳(銅制程低電阻率1.67mΩ-cm及Implant高電阻2KΩ/□以上,皆可達(dá)成高精確度及重復(fù)性) * 體積小,占無塵室面積少 * 校正簡單,且校正周期長 * 可配合客戶需求,增強(qiáng)功能與適用性 * 300mm 機(jī)種可以裝2~4個(gè)量測頭,并且
可以Recipe設(shè)定更換。

CDE　ResMap–CDE　公司生產(chǎn)之電阻值測試系統(tǒng)是以四探針的工藝，以配合各半導(dǎo)體成光伏生產(chǎn)廠家進(jìn)出之生產(chǎn)品質(zhì)監(jiān)控，超卓可靠又簡易操作的設(shè)備是半導(dǎo)體及光伏生產(chǎn)廠家的。