硅片少子壽命測試系統(tǒng)
美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器采用了的測量和分析技術(shù)，包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測量方法?？伸`敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況。WCT一個高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測量也產(chǎn)生含蓄的打開電路電壓(對照明)曲線，與最后的I-V曲線是可比較的在一個太陽能電池過程的每個階段。
常見問題：
美國Sinton WCT-120與WT-2000測少子壽命的差異？
WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準穩(wěn)態(tài)光電導）而WT2000是微波光電導。
WCT-120準穩(wěn)態(tài)光電導法測少子壽命的原理？
WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準穩(wěn)態(tài)光電導）
準穩(wěn)態(tài)光電導衰減法（QSSPC）和微波光電導衰減法（MWPCD）的比較？
QSSPC方法于其他測試壽命方法的一個重要之處在于它能夠在大范圍光強變化區(qū)間內(nèi)對過剩載流子進行測量，同時可以結(jié)合 SRH模型，得出各種復合壽命，如體內(nèi)缺陷復合中心引起的少子復合壽命、表面復合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。
MWPCD方法測試的信號是一個微分信號，而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實值，MWPCD在加偏置光的情況下，結(jié)合理論計算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關(guān)系曲線，并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個到十幾個，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個尺寸范圍的區(qū)域才會被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對于壽命分布不均勻的樣品來說，結(jié)果并不具備代表性。
少子壽命測試儀性能參數(shù)？
測量原理 QSSPC（準穩(wěn)態(tài)光電導）
少子壽命測量范圍 100 ns-10 ms
測試模式：QSSPC,瞬態(tài)，壽命歸一化分析
電阻率測量范圍 3–600 (undoped) Ohms/sq.
注入范圍：1013-1016cm-3
感測器范圍 直徑40-mm
測量樣品規(guī)格 標準直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）
硅片厚度范圍 10–2000 μm
外界環(huán)境溫度 20°C–25°C
功率要求 測試儀: 40 W 電腦控制器：200W 光源：60W
通用電源電壓 100–240 VAC 50/60 Hz
少子壽命測試儀成功使用用戶？
服務眾多光伏用戶：
江蘇，上海，北京，浙江，西安，四川，河北，河南等地的硅料生產(chǎn)企業(yè)及半導體光伏拉晶企業(yè)等等。
一、采購項目名稱：硅片少子壽命測試系統(tǒng)、溶劑凈化系統(tǒng)等
二、采購代理機構(gòu) ：杭州求是招標代理有限公司
三、確定成交日期：2010年11月16日
四、本項目公告日期： 2010年11月4日、11月5日
五、項目成交單位：硅片少子壽命測試系統(tǒng)(z9264)：上海瞬渺光電技術(shù)有限公司
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