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聚焦智能控制、測(cè)量與信號(hào)處理 IEEE-ICMSP 2022在杭州開幕
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2022年11月01日 17:47:36 來源:上海蒲柘光電儀器有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺(tái) 閱讀量:21
單晶微管時(shí)碳化硅單晶生長中不可避免出現(xiàn)的缺陷。微管缺陷的存在會(huì)大大影響器件的性能。在研究中除了設(shè)法降低微管缺陷的數(shù)量外,對(duì)微管缺陷進(jìn)行表征也很重要。通過對(duì) SiC化學(xué)腐蝕前后的微管缺陷數(shù)量進(jìn)行對(duì)比,可以得出一些有益的結(jié)論。
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