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影響結晶的因素主要有以下幾點：
1、漿料的過飽和度，這個主要由溫度來控制，溫度越低過飽和度越低。過飽和度越大，則，產生晶核越多，結晶體粒徑越小。
2、停留時間，時間越長，則產生的結晶體粒徑越大。停留時間與液位有關，液位越高，停留時間越強。
3、容器的攪拌強度，攪拌越強，容易破碎晶體，結晶體粒徑越小
4、雜質成分，雜質成分較多，則比較容易形成晶核，結晶體粒徑越小。
結晶過程控制：
1、維持穩(wěn)定的過飽和度，防止結晶器在局部范圍內(例如蒸發(fā)面、冷卻表面、不同濃度的兩流股的混合區(qū)內)產生過大的過飽和度。
2、盡可能減低晶體的機械碰撞能量及幾率。
3、結晶器液面應保持一定的高度，如果液面太低，會破壞懸浮液床層，使過飽和度越過介穩(wěn)區(qū)，產生大量晶核。
4、應防止系統(tǒng)帶氣，否則會破壞晶漿床層，使液面翻騰，溢流帶料嚴重。
5、應限制晶體的生長速率，即不以盲目提高過飽和度的方法，來達到提高產量的目的。
6、可對溶液進行加熱、過濾等預處理，以消除溶液中可能成為過多晶核的微粒。
7、從結晶器中及時移除過量的微晶。產品按粒度分級排出，使符合粒度罷求的晶粒能作為產品及時排出，而不使其在器內繼續(xù)參與循環(huán)。
8、將含有過量細晶的母液取出后加熱或稀釋，使細晶溶解，然后送回結晶器。
9、母液溫度不宜相差過大，避免過飽和度過大，晶核增多。
10、調節(jié)原料溶液的pH值或加入某些具有選擇性的添加劑以改變成核速率。
11、操作工應認真負責，在結晶操作上要勤檢查、穩(wěn)定工藝，保證生產在程序下進行。