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　　超純水設(shè)備電阻率大于18MΩ*cm或接近18.2MΩ*cm極限值(25℃)超純水，又將水中不離解的膠體物質(zhì)、氣體及有機(jī)物均去除至很低程度的水。超純水是既將水中的導(dǎo)電介質(zhì)幾乎去除。一般工藝很難達(dá)到水平，采用預(yù)處理、反滲透技術(shù)、超純化處置以及后級處置四大方法，多級過濾、高性能離子交換單元、超濾過濾器、紫外燈、除TOC裝置等多種處理方法，電阻率方可達(dá)18.2MΩ*cm25℃。單/多晶硅、半導(dǎo)體晶片切割制造、半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體封裝、引線柜架、集成電路、液晶顯示器、導(dǎo)電玻璃、電池(蓄電池)顯像管、線路板、光通信、電腦元件、電容器、潔凈產(chǎn)品及各種元器件等生產(chǎn)工藝用高純水

　　代替了保守的離子交換水處置技術(shù)達(dá)到現(xiàn)代工業(yè)和環(huán)保的需求，EDI超純水設(shè)備從發(fā)明以來。所以當(dāng)純水設(shè)備中的EDI出現(xiàn)問題和損壞時勢就會影響企業(yè)的正常生產(chǎn)，增加公司的運(yùn)營本錢。

　　低于額定流量情況下運(yùn)行，極板側(cè)積聚的熱量得不到有效散發(fā)，造成EDI接近兩極的膜片和隔網(wǎng)先發(fā)熱變形,EDI膜塊長期在大電流。EDI濃水壓差增加，水質(zhì)和水量下降，嚴(yán)重會碳化漏水。EDI膜塊臨時沒有清洗頤養(yǎng)，EDI膜片和通道結(jié)垢，進(jìn)出水壓差增加，造成產(chǎn)水水質(zhì)下降，電流無法調(diào)節(jié)，電壓上升。超濾系統(tǒng)控制余氯等氧化劑不當(dāng)，進(jìn)EDI氧化劑超量，導(dǎo)致EDI樹脂破碎，堵塞產(chǎn)水通道，水量下降。采用不當(dāng)?shù)那逑春拖?，直接?dǎo)致EDI樹脂破碎，進(jìn)出水壓差增大，造成產(chǎn)水水質(zhì)和水量下降。EDI系統(tǒng)手動運(yùn)行時，缺水狀態(tài)下加電，直接導(dǎo)致膜片和樹脂的發(fā)熱碳化，清洗無效，無法使用。EDI進(jìn)水前無保安濾器，或裝置時沒有清洗管道和水箱，導(dǎo)致異物堵塞EDI通道，進(jìn)出水壓差增加，造成產(chǎn)水水量嚴(yán)重下降，清洗無效。