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磁控共濺鍍是指同時(shí)有兩個(gè)或多個(gè)磁控濺鍍槍，濺鍍於被鍍物上。磁控共濺鍍主要用於-複合金屬或複合材料，通過(guò)分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍（靶材）的功率來(lái)控制薄膜品質(zhì)，其薄膜厚度取決於濺鍍時(shí)間。

SYSKEY的磁控共濺鍍?cè)O(shè)備提供了精準(zhǔn)控制多個(gè)磁控濺鍍的製程條件，為客戶提供品質(zhì)的複合式薄膜。

SYSKEY磁控共濺鍍?cè)O(shè)備的濺鍍腔中，有單片和多片式的loading chamber，可節(jié)省其製程腔體的抽氣時(shí)間，進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時(shí)間。

SYSKEY的濺鍍腔中，在載臺(tái)部分可獨(dú)立施打偏壓，對(duì)其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能。

離子源可用於基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速率，並且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密。

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
半導(dǎo)體類。納米科技。產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查。氧化物、氮化物和金屬材料的研究。太陽(yáng)能電池。光學(xué)研究。材料研究。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應(yīng)用。寬大的前開(kāi)式門，並有兩個(gè)視窗和視窗遮版，用於觀察基材和濺鍍?cè)础?/span> 具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計(jì)和用於壓力控制的Baratron真空計(jì)。腔體的極限真空度約10-8 Torr。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化基板尺寸，直徑可達(dá)12寸晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。磁控濺鍍?cè)矗ㄗ疃?個(gè)源），具有多種可選的靶材尺寸。具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍?cè)础?/span> 射頻、直流或脈衝直流，分別用於非導(dǎo)電與導(dǎo)電靶材。精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）。基板可加熱到1000°C。基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的。每個(gè)濺鍍?cè)春突寰惭b遮板。	可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。結(jié)合離子源、熱蒸發(fā)源，電子束...等等。基板射頻或直流偏壓。膜厚監(jiān)測(cè)儀。射頻等離子清潔用於基材。 OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。